Lembaga Penelitian Elektronika dan Telekomunikasi (ETRI) mengumumkan pada 19 Agustus bahwa mereka telah mengembangkan transistor paduan selenium telurium (Se-Te) tipe-p, yang membuat terobosan besar dalam teknologi semikonduktor. Bahan semikonduktor tipe-p baru ini dapat disimpan pada suhu kamar menggunakan bahan semikonduktor tipe-p berbasis telurium, menandai kemajuan yang signifikan di bidang ini.
Tim peneliti berhasil mengembangkan semikonduktor telurium-selenida tipe p dengan menambahkan selenium ke telurium, mendepositkan film amorf pada suhu kamar, dan kemudian melakukan perlakuan panas. Metode inovatif ini dapat mengontrol “tegangan ambang batas” dengan menyesuaikan ketebalan telurium yang ditempatkan pada film semikonduktor oksida tipe-n. Tegangan ambang batas adalah tegangan dimana keadaannya berubah dari tidak ada arus menjadi arus.
Transistor adalah komponen dasar elektronik modern dan dibagi menjadi semikonduktor tipe-n dan tipe-p. Semikonduktor tipe N menggunakan elektron bebas bermuatan negatif sebagai pembawa, sedangkan semikonduktor tipe p menggunakan lubang sebagai pembawa. Bahan yang banyak digunakan di bidang tampilan adalah semikonduktor oksida tipe-n dengan indium gallium zinc (IGZ) sebagai pengotor. Namun, tampilan resolusi tinggi yang memerlukan kecepatan refresh 240 hertz (Hz) atau lebih tinggi telah meningkatkan permintaan akan semikonduktor oksida tipe-p. Semikonduktor oksida tipe-P umumnya memiliki sifat listrik yang lebih buruk dan lebih mahal untuk diproduksi dibandingkan semikonduktor oksida tipe-n.
Transistor yang baru dikembangkan juga diharapkan dapat mengatasi kekurangan proses penumpukan yang digunakan dalam produksi memori bandwidth tinggi (HBM), yang bersaing dengan perusahaan seperti SK Hynix dan Samsung Electronics. Untuk mengatasi keterbatasan through-silicon vias (TSVs), pendekatan 3D monolitik telah muncul yang melibatkan penumpukan material pada satu wafer, bukan beberapa wafer. Transistor sambungan pn berbasis telurium yang dikembangkan oleh ETRI dibuat menggunakan pendekatan 3D monolitik ini.
Perwakilan ETRI menjelaskan: “Hasil penelitian ini dapat digunakan secara luas tidak hanya pada layar seperti TV OLED dan perangkat extended reality (XR), namun juga dalam penelitian sirkuit semikonduktor berdaya sangat rendah.” teknologi baru, Ini dapat merevolusi setiap aspek elektronik modern.
Hasil penelitian ini dipublikasikan dalam Journal of American Chemical Society (ACS) pada bulan April dan Juni, menyoroti pengakuan komunitas ilmiah akan pentingnya kemajuan ini.